Zaawansowane wyszukiwanie
  Strona Główna » Sklep » Elektronika Elektrotechnika » Elektronika » Moje Konto  |  Zawartość Koszyka  |  Do Kasy   
 Wybierz kategorię
Algorytmy Wzorce UML
Bazy danych
Bezpieczeństwo
Bioinformatyka
Biznes Ekonomia Firma
Chemia
DTP Design
E-biznes
Ekonometria
Elektronika Elektrotechnika
  Anteny Fale
  Cyfrowe przetwarzanie sygnałów
  Dźwięk cyfrowy
  Elektronika
  Elektrotechnika
  Optoelektronika
  Przetwarzanie obrazów
  Systemy czasu rzeczywistego
  Układy cyfrowe Mikrokontrolery
Energetyka
Fizyka
GIS
Grafika użytkowa
Hardware
Informatyczne systemy zarządzania
Informatyka w szkole
Internet
Języki programowania
Matematyka
Multimedia
Obsługa komputera
Office
Poradniki
Programowanie gier
Programy inżynierskie
Programy matematyczne
Serwery
Sieci Firewalle Protokoły
Słowniki
Systemy operacyjne
Technika
Telekomunikacja
Tworzenie stron WWW

Zobacz pełny katalog »
 Wydawnictwo:
 MsPress
Microsoft SQL Server 2012 Integration Services

Microsoft SQL Server 2012 Integration Services

92.40zł
69.30zł
Półprzewodniki. Nowoczesne rozwiązania w układach scalonych 89.00zł 63.19zł
Półprzewodniki. Nowoczesne rozwiązania w układach scalonych

Tytuł: Półprzewodniki. Nowoczesne rozwiązania w układach scalonych
Tytuł oryginalny Modern Semiconductor Devices for Integrated Circuits
Autor: Chenming Calvin Hu
ISBN: 978-83-283-2090-1
Ilość stron: 448
Data wydania: 04/2016
Oprawa: Miękka
Format: 170x230
Wydawnictwo: HELION
Cena: 89.00zł 63.19zł


Elektronika jest jednym z ważniejszych i zarazem najtrudniejszych przedmiotów wykładanych na studiach technicznych. Co istotne, dogłębne zrozumienie jej prawideł, jak również opanowanie pewnej wiedzy praktycznej, okazuje się niezwykle istotne dla osób zajmujących się zawodowo informatyką oraz niektórymi dziedzinami techniki, zwłaszcza półprzewodnikami, projektowaniem układów scalonych, systemami mikroelektromechanicznymi, optyką, nanotechnologią i materiałoznawstwem.

Książka ta jest kierowana przede wszystkim do studentów studiów technicznych, ale mogą z niej korzystać również studenci studiów doktoranckich, a także inżynierowie i naukowcy. Będzie szczególnie doceniona przez praktyków zajmujących się projektowaniem i funkcjonowaniem nowoczesnych urządzeń elektronicznych.

Książka zawiera przydatne informacje dotyczące tranzystorów i ich zastosowania w projektowaniu obwodów. Przedstawiono tu dogłębną analizę zagadnień związanych z podstawowymi komponentami układów elektronicznych. Przybliżono zasady działania takich urządzeń, jak ogniwa fotowoltaiczne, diody LED, diody laserowe itp.

W książce tej przedstawiono:
• wyczerpujące wprowadzenie do zagadnień związanych z półprzewodnikami z uwzględnieniem rekombinacji elektronów i dziur elektronowych;
• technologię produkcji komponentów półprzewodnikowych;
• złącza p-n i złącza metal-półprzewodnik;
• informacje o tranzystorach MOS, w tym o matrycach CCD i CMOS;
• tranzystory MOFSET, pamięci SRAM i DRAM oraz pamięć nieulotną flash;
• tranzystory bipolarne.

Nowoczesnej elektroniki należy uczyć się od najlepszych.

Spis treści:

1. Półprzewodniki: elektrony i dziury w półprzewodnikach (15)

  • 1.1. Krystaliczna struktura krzemu (16)
  • 1.2. Model wiązań elektronów i dziur (18)
  • 1.3. Energetyczny model pasmowy (22)
  • 1.4. Półprzewodniki, izolatory i przewodniki (27)
  • 1.5. Elektrony i dziury (29)
  • 1.6. Gęstość stanów (32)
  • 1.7. Równowaga cieplna i funkcja Fermiego (33)
  • 1.8. Koncentracje elektronów i dziur (37)
  • 1.9. Ogólne zagadnienia dotyczące parametrów n i p (43)
  • 1.10. Koncentracje nośników w bardzo niskich i bardzo wysokich temperaturach (47)
  • 1.11. Podsumowanie rozdziału (47)
  • Zadania (49)
  • Bibliografia (54)
  • Publikacje ogólnie związane z tematyką rozdziału (55)

2. Ruch i rekombinacja elektronów i dziur (57)

  • 2.1. Ruch cieplny (57)
  • 2.2. Dryft (60)
  • 2.3. Prąd dyfuzyjny (69)
  • 2.4. Zależność pomiędzy wykresem poziomów energetycznych a napięciem i polem elektrycznym (71)
  • 2.5. Zależność Einsteina pomiędzy D i ( (71)
  • 2.6. Rekombinacja elektron-dziura (74)
  • 2.7. Generacja termiczna (77)
  • 2.8. Quasi-równowaga i poziomy quasi-Fermiego (77)
  • 2.9. Podsumowanie rozdziału (79)
  • Zadania (81)
  • Bibliografia (84)
  • Publikacje ogólnie związane z tematyką rozdziału (84)

3. Technologia produkcji komponentów półprzewodnikowych (85)

  • 3.1. Wstęp do produkcji komponentów (86)
  • 3.2. Utlenianie krzemu (88)
  • 3.3. Litografia (89)
  • 3.4. Transfer wzorów - trawienie (96)
  • 3.5. Domieszkowanie półprzewodnika (99)
  • 3.6. Dyfuzja domieszek (101)
  • 3.7. Osadzanie cienkich warstw (105)
  • 3.8. Proces tworzenia złączy pomiędzy komponentami (110)
  • 3.9. Testowanie, montaż i kwalifikacja (113)
  • 3.10. Podsumowanie rozdziału - przykładowy proces produkcji komponentu (114)
  • Zadania (116)
  • Bibliografia (120)
  • Publikacje ogólnie związane z tematyką rozdziału (121)

4. Złącze p-n i złącze metal-półprzewodnik (123)

Część I. Złącze p-n (123)

  • 4.1. Zagadnienia teoretyczne związane ze złączem p-n (124)
  • 4.2. Model warstwy zubożonej (128)
  • 4.3. Złącze p-n i polaryzacja zaporowa (133)
  • 4.4. Charakterystyki pojemnościowo-napięciowe (134)
  • 4.5. Przebicie złącza p-n (136)
  • 4.6. Iniekcja nośników w polaryzacji przewodzenia i warunkach quasi-równowagi brzegowej (141)
  • 4.7. Równanie ciągłości prądu (144)
  • 4.8. Nośniki nadmiarowe w złączu p-n w polaryzacji przewodzenia (146)
  • 4.9. Charakterystyki prądowo-napięciowe diody półprzewodnikowej (150)
  • 4.10. Magazynowanie ładunku (154)
  • 4.11. Małosygnałowy model diody (155)

Część II. Zastosowanie w komponentach optoelektronicznych (156)

  • 4.12. Ogniwa fotowoltaiczne (156)
  • 4.13. Diody elektroluminescencyjne i oświetlenie półprzewodnikowe (164)
  • 4.14. Diody laserowe (170)
  • 4.15. Fotodiody (175)

Część III. Złącze metal-półprzewodnik (176)

  • 4.16. Bariera Schottky'ego (176)
  • 4.17. Teoria emisji termoelektronowej (181)
  • 4.18. Diody Schottky'ego (182)
  • 4.19. Zastosowanie diod Schottky'ego (184)
  • 4.20. Tunelowanie kwantowo-mechaniczne (186)
  • 4.21. Kontakt omowy (186)
  • 4.22. Podsumowanie rozdziału (190)
  • Zadania (194)
  • Bibliografia (204)
  • Publikacje ogólnie związane z tematyką rozdziału (205)

5. Kondensator MOS (207)

  • 5.1. Warunek i napięcie pasma płaskiego (208)
  • 5.2. Akumulacja powierzchniowa (210)
  • 5.3. Zubożenie powierzchni (212)
  • 5.4. Warunek progowy i napięcie progowe (213)
  • 5.5. Silna inwersja poza warunkami progowymi (216)
  • 5.6. Charakterystyki pojemnościowo-napięciowe kondensatora MOS (220)
  • 5.7. Ładunek tlenku - wpływ na Ufb i Ut (225)
  • 5.8. Zubożenie bramki wykonanej z krzemu polikrystalicznego spowodowane wzrostem Tox 228
  • 5.9. Grubość i efekt kwantowo-mechaniczny warstw inwersji i akumulacji (230)
  • 5.10. Matryca CCD i CMOS (233)
  • 5.11. Podsumowanie rozdziału (240)
  • Zadania (243)
  • Bibliografia (252)
  • Publikacje ogólnie związane z tematyką rozdziału (252)

6. Tranzystor MOS (253)

  • 6.1. Tranzystory MOSFET - wprowadzenie (253)
  • 6.2. Struktura komplementarna MOS (technologia CMOS) (254)
  • 6.3. Ruchliwości powierzchniowe i układy FET charakteryzujące się dużą mobilnością (260)
  • 6.4. Napięcie Ut, efekt podłoża i domieszkowanie tranzystora MOSFET (267)
  • 6.5. Parametr Qinw charakteryzujący tranzystory MOSFET (271)
  • 6.6. Podstawowy model prądowo-napięciowy tranzystora MOSFET (272)
  • 6.7. Przykładowy układ: inwerter CMOS (276)
  • 6.8. Nasycenie prędkości (282)
  • 6.9. Model prądowo-napięciowy tranzystora MOSFET uwzględniający nasycenie prędkości (284)
  • 6.10. Pasożytnicza rezystancja źródło-dren (289)
  • 6.11. Wyciąganie rezystancji szeregowej i efektywnej długości kanału (290)
  • 6.12. Przerost prędkości i limit prędkości źródła (293)
  • 6.13. Konduktancja wyjściowa (295)
  • 6.14. Wydajność przy wysokich częstotliwościach (296)
  • 6.15. Zakłócenia tranzystorów MOSFET (299)
  • 6.16. SRAM, DRAM i kości pamięci nieulotnej flash (305)
  • 6.17. Podsumowanie rozdziału (314)
  • Zadania (318)
  • Bibliografia (330)
  • Publikacje ogólnie związane z tematyką rozdziału (331)

7. Tranzystory MOSFET w układach scalonych - zmiana skali, prąd upływu i inne zagadnienia (333)

  • 7.1. Zmiana skali technologii - zmniejszenie kosztów produkcji, wzrost szybkości, zmniejszenie poboru prądu (334)
  • 7.2. Prąd podprogowy - "wyłączony" nie oznacza "zupełnie wyłączony" (338)
  • 7.3. Spadek wzmocnienia napięcia Ut - tranzystory MOSFET o krótkich kanałach charakteryzują się większym prądem upływu (342)
  • 7.4. Redukcja grubości elektrycznej izolacji bramki i upływ tunelowy (347)
  • 7.5. Redukcja parametru Wzub (349)
  • 7.6. Płytkie złącze i tranzystory MOSFET z metalowymi źródłami i drenami (352)
  • 7.7. Kompromis pomiędzy I i Iwył a opracowywanie projektu pod kątem możliwości produkcji (354)
  • 7.8. Tranzystory MOSFET o bardzo cienkich korpusach i wielu bramkach (357)
  • 7.9. Konduktancja wyjściowa (362)
  • 7.10. Symulacja procesów i komponentów (364)
  • 7.11. Kompaktowy model tranzystora MOSFET używany w symulacji pracy obwodu (365)
  • 7.12. Podsumowanie rozdziału (366)
  • Zadania (368)
  • Bibliografia (371)
  • Publikacje ogólnie związane z tematyką rozdziału (372)

8. Tranzystor bipolarny (373)

  • 8.1. Wprowadzenie do tranzystorów BJT (374)
  • 8.2. Prąd kolektora (376)
  • 8.3. Prąd bazy (380)
  • 8.4. Wzmocnienie prądowe (381)
  • 8.5. Modulacja szerokości bazy napięciem kolektora (386)
  • 8.6. Model Ebersa-Molla (389)
  • 8.7. Czas opadania i magazynowanie ładunku (392)
  • 8.8. Model małosygnałowy (396)
  • 8.9. Częstotliwość graniczna (399)
  • 8.10. Model sterowany prądem (400)
  • 8.11. Model do wielkosygnałowej symulacji pracy obwodu (404)
  • 8.12. Podsumowanie rozdziału (406)
  • Zadania (408)
  • Bibliografia (414)
  • Publikacje ogólnie związane z tematyką rozdziału (414)

Dodatek A

  • Wyprowadzenie wzorów na gęstość stanów (415)

Dodatek B

  • Wyprowadzenie funkcji rozkładu Fermiego-Diraca (419)

Dodatek C

  • Samouzgodnienie założeń dotyczących nośników mniejszościowych (423)
  • Odpowiedzi do wybranych zadań (427)
Półprzewodniki. Nowoczesne rozwiązania w układach scalonych
Tytuł książki: "Półprzewodniki. Nowoczesne rozwiązania w układach scalonych"
Autor: Chenming Calvin Hu
Wydawnictwo: HELION
Cena: 89.00zł 63.19zł
Klienci, którzy kupili „Półprzewodniki. Nowoczesne rozwiązania w układach scalonych”, kupili także:
<b>Podstawy elektroniki cyfrowej Wydanie 5</b>, <font color="navy">Józef Kalisz</font>, <font color="green"> Wydawnictwo WKiŁ</font>
Podstawy elektroniki cyfrowej Wydanie 5, Józef Kalisz, Wydawnictwo WKiŁ
<b>Matematyka Od podstaw do elementów matematyki wyższej</b>, <font color="navy">Aleksander Błaszczyk, Sławomir Turek</font>, <font color="green"> Wydawnictwo Naukowe PWN</font>
Matematyka Od podstaw do elementów matematyki wyższej, Aleksander Błaszczyk, Sławomir Turek, Wydawnictwo Naukowe PWN
<b>Matematyka dla studentów i kandydatów na wyższe uczelnie Repetytorium + CD</b>, <font color="navy">Robert Kowalczyk, Kamil Niedziałomski, Cezary Obczyński</font>, <font color="green"> Wydawnictwo Naukowe PWN</font>
Matematyka dla studentów i kandydatów na wyższe uczelnie Repetytorium + CD, Robert Kowalczyk, Kamil Niedziałomski, Cezary Obczyński, Wydawnictwo Naukowe PWN
<b>Język C dla mikrokontrolerów AVR Od podstaw do zaawansowanych aplikacji Wydanie II</b>, <font color="navy">Tomasz Francuz</font>, <font color="green"> Wydawnictwo HELION</font>
Język C dla mikrokontrolerów AVR Od podstaw do zaawansowanych aplikacji Wydanie II, Tomasz Francuz, Wydawnictwo HELION
<b>Matematyka dla zerowego roku studiów wyższych Elementy analizy matematycznej</b>, <font color="navy">M. Bryński, N. Dróbka, K. Szymański</font>, <font color="green"> Wydawnictwo WNT</font>
Matematyka dla zerowego roku studiów wyższych Elementy analizy matematycznej, M. Bryński, N. Dróbka, K. Szymański, Wydawnictwo WNT
<b>Układy cyfrowe wiedzieć więcej</b>, <font color="navy">Barry Wilkinson</font>, <font color="green"> Wydawnictwo WKiŁ</font>
Układy cyfrowe wiedzieć więcej, Barry Wilkinson, Wydawnictwo WKiŁ
 Koszyk
0 przedmiotów
Producent
Tu można zobaczyć wszystkie książki z wydawnictwa:

Wydawnictwo HELION
 Kategoria:
 Fizyka
Fizyka Paszport maturzysty

Fizyka Paszport maturzysty

24.00zł
20.40zł
Informacje
Regulamin sklepu.
Koszty wysyłki.
Polityka prywatności.
Jak kupować?
Napisz do Nas.
 Wydawnictwa
 Poradniki
Kwalifikacja EE.08. Montaż i eksploatacja systemów komputerowych, urządzeń peryferyjnych i sieci. Część 1. Urządzenia te Tomasz Kowalski, Tomasz Orkisz HELION
Bezpieczeństwo w sieciach Windows Marcin Szeliga HELION
Odzysk i zagospodarowanie niskotemperaturowego ciepła odpadowego ze spalin wylotowych Kazimierz Wójs Naukowe PWN
SAP R/3 podręcznik użytkownika Jim Mazzullo, Peter Wheatley HELION
Podstawy fizyki powierzchni półprzewodników Anna Szaynok, Stanisław Kuźmiński WNT
Programowanie strukturalne i obiektowe Podręcznik do nauki zawodu technik informatyk Wydanie II poprawione Tomasz Rudny HELION
UML 2.1 ćwiczenia Praca zbiorowa pod redakcją Stanisława Wryczy HELION
Jak zdać egzamin zawodowy w technikum informatycznym? Kwalifikacje E.12, E.13, E.14 Tomasz Kowalski HELION
C++. 50 efektywnych sposobów na udoskonalenie Twoich programów Scott Meyers HELION

czwartek, 16 sierpień 2018   Mapa strony |  Nowości |  Dzisiejsze promocje |  Koszty wysyłki |  Kontakt z nami